| 发明名称 | 半导体装置及叠层型半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明利用下述半导体装置来形成叠层型半导体装置，该半导体装置的特征在于：包括在一个主表面上配置有多个电极的半导体元件、以及在绝缘基板上配置有多个导电层的布线基板上述布线基板沿着上述半导体元件的外边缘部配置成大致コ字状；该布线基板中的上述导电层的一端连接到上述半导体元件的电极；并且上述导电层的另一端在该半导体元件的另一个主表面侧上、向与该半导体元件不同的方向引出。 | ||
| 申请公布号 | CN1650426A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN02829497.1 | 申请日期 | 2002.12.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 大野贵雄;吉田英治;三泽洋 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/60;H01L23/12;H01L25/04 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：包括在一个主表面上配置有多个电极的半导体元件、以及在绝缘基板上配置有多个导电层的布线基板；上述布线基板沿着上述半导体元件的外边缘部配置成大致コ字状：该布线基板中的上述导电层的一端连接到上述半导体元件的电极并且上述导电层的另一端在该半导体元件的另一个主表面侧上、向与该半导体元件不同的方向引出。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川 | ||