| 摘要 |
本发明之一种可微缩化偶对叠堆闸快闪细胞元结构至少包含一个虚拟闸区形成于两个共源区之间，其中该虚拟闸区至少包含一对可微缩化叠堆闸区及一个可微缩化共汲区形成于该对可微缩化叠堆闸区之间。该两个共源区的每一个至少包含一个共源扩散区而该可微缩化共汲区至少包含一个共汲扩散区。该对可微缩化叠堆闸区的每一个至少包含一个埋层离子布植层形成于一个半导体基板的一个表面部份。一个较深扩散区形成于该可微缩化共汲区之内或该两个共源区的每一个之内来形成位于该对可微缩化叠堆闸区的每一个之内的一个双扩散通道。该可微缩化偶对叠堆闸快闪细胞元结构系用来组成本发明之一种无接点非或型快闪记忆阵列。 |
