用于制造半导体装置的方法和设备

摘要

一种用于制造半导体装置的方法，其中于形成侧壁或衬里之BTBAS–SiN膜与形成偏移隔离层之氧化膜之同时，将形成于半导体基板反面上之BTBAS–SiN薄膜与氧化膜完全移除，以暴露出半导体基板反面，而在暴露出半导体基板反面之后，藉由晶圆处理机之静电夹盘或真空夹盘处理在制程中之半导体基板或传送半导体基板。