生长矽晶体之坩埚及生长矽晶体之方法

摘要

本发明提供一用以生长矽晶体之坩埚，(在藉左科拉斯基法生长矽晶体之程序中，该晶体可提升晶体之生产力、产率及品质)及利用该坩埚藉左科拉斯基法生长矽晶体之方法。一种藉左科拉斯基法生长矽晶体之坩埚，该坩埚内底表面之外形具有至少一与坩埚转动轴对称之凸起部分，其中该凸起部分之周界系位于距该转动轴之距离为待生长晶体半径之0.4至1.2倍，且该凸起部分之高度不小于7％至不大于100％待生长晶体半径。