| 主权项 |
1.一种可防止晶圆金属凸块氧化之结构,其包含:一晶圆主体;复数个铝垫,形成于该晶圆主体之一表面上,且每一铝垫各具有一上表面;一护层(passivation layer),覆盖于该晶圆主体之表面以及每一铝垫之表面边缘上,而使每一铝垫只留下中间表面裸露于该护层之外;复数个黏着层,分别设置于每一铝垫之中间表面上;复数个金属凸块,分别形成于每一黏着层上;以及一保护层,涂布于每一金属凸块之表面上,用以防止每一金属凸块之氧化。2.依申请专利范围第1项之结构,其中该保护层系由一表面活性剂所涂布形成。3.依申请专利范围第2项之结构,其中该表面活性剂系为一助焊剂。4.依申请专利范围第1项之结构,其中该金属凸块系为锡铅凸块。5.依申请专利范围第1项之结构,其中该黏着层系为一凸块下金属层(UBM)。6.一种可防止晶片金属凸块氧化之结构,其包含:一晶片主体;复数个铝垫,形成于该晶片主体之一表面上,且每一铝垫各具有一上表面;一护层(passivation layer),覆盖于该晶片主体之表面以及每一铝垫之上表面边缘上,而使每一铝垫只留下中间表面裸露于该护层之外;复数个黏着层,分别设置于每一铝垫之中间表面上;复数个金属凸块,分别形成于每一黏着层上;以及一保护层,涂布于每一金属凸块之表面上,用以防止每一金属凸块之氧化。7.依申请专利范围第6项之结构,其中该保护层系由一表面活性剂所涂布形成。8.依申请专利范围第7项之结构,其中该表面活性剂系为一助焊剂。9.依申请专利范围第6项之结构,其中该黏着层系为一凸块下金属层(UBM)。10.依申请专利范围第6项之结构,其中该金属凸块系为锡铅凸块。图式简单说明:第1图:系为先前技术中之一具有金属凸块之晶片示意图。第2图:系为第1图之晶片与一基板连接之示意图。第3图:系为先前技术中之一晶片金属凸块之剖示图。第4图:系为根据本发明之一具有表面活性剂涂层之金属凸块之晶圆结构剖示图。 |
