| 主权项 |
1.一种半导体装置,其系包含:一半导体晶粒,其系具有至少一电极配置于其之一主要表面之上;一钝化层,其系配置于该半导体晶粒的至少一电极之上方;一开口,其位于该钝化层中,从该钝化层的顶表面延伸至该至少一电极;及一预先成形的非球形铜电连接器,其具有一基底部及一接触部,该接触部系用于与外部元件电性接触;其中,该电连接器的基底部系藉由配置于该开口内的一层传导性黏附材料,而电性连接且机械上连接至该半导体晶粒的至少一电极,该传导性黏附材料系为焊料或传导性环氧树脂。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该接触部为一突起的凸块。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基底部为长方形。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基底部为圆形。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基底部为卵形。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该开口具有一对应于该基底部形状之形状。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基底部及该接触部形成一单元性体部。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该铜电连接器系由一铜片冲制而成。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该至少一电极为可焊式。10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半导体晶粒为一MOSFET,且该MOSFET系具有各为一主要电极之至少一源电极、一闸电极及一汲电极。11.一种晶片级半导体装置,其系包含:一半导体晶粒,其系具有驻留在其之一主要表面上的全部主要电极;一钝化层,其系配置于该主要表面上方;至少一开口,其系在对于各该等主要电极的该钝化层中,各该开口系曝露出一主要电极之顶表面的一部分;及复数个预先成形的非球形铜电连接器,其系各具有一基底部及一接触部;其中,各该主要电极之顶表面的曝露部分系藉由一层传导性黏附材料,而电性连接且机械上连接至该等复数个电连接器的至少一者之基底部,该传导性黏附材料系为焊料或传导性环氧树脂。12.如申请专利范围第11项之晶片级半导体装置,其中,该半导体晶粒系为一MOSFET,且该MOSFET系具有作为主要电极之一源电极、一闸电极及一汲电极。13.如申请专利范围第11项之晶片级半导体装置,其中,该接触部为一凸块。14.如申请专利范围第11项之晶片级半导体装置,其中,该基底部为长方形。15.如申请专利范围第11项之晶片级半导体装置,其中,该基底部为圆形。16.如申请专利范围第11项之晶片级半导体装置,其中,该基底部为卵形。17.如申请专利范围第11项之晶片级半导体装置,其中,对于各该等主要电极之至少一开口系具有一概括对应于一对应电连接器的该基底部形状之形状。18.如申请专利范围第11项之晶片级半导体装置,其中,该基底部及该接触部系形成一单元性体部。19.如申请专利范围第11项之晶片级半导体装置,其中,该等电连接器系由一铜片冲制而成。20.一种制造半导体装置之方法,包含:备置一半导体晶圆,其系具有复数个半导体晶粒形成于其之上;在各该等半导体晶粒的一主要表面上,形成可焊式电极;形成一钝化层于该等电极上方,且在各该等电极上方的该钝化层中,形成至少一开口,以曝露出该电极的一部分;在该等开口内及该等曝露部分之上,沉积一层传导性黏附材料;预先成形复数个非球形电连接器;在各该层传导性黏附材料上,固接一预先成形的电连接器;及分割该晶圆成为个别的半导体晶粒。21.如申请专利范围第20项之方法,其中,该等可焊式电极系包含钛或钨、镍、银的一组合及钛或钨、铝、钛、镍、银的一组合之其中一者。22.如申请专利范围第20项之方法,其中,该传导性黏附材料系为焊料,且该方法系又包含在分割该晶圆之前,回焊该焊料。23.如申请专利范围第20项之方法,其中,该传导性黏附材料系为一传导性环氧树脂,且该方法系又包含在分割该晶圆之前,固化该传导性环氧树脂。24.如申请专利范围第20项之方法,其中,该电连接器系藉由冲压一铜片而预成形。25.一种制造半导体装置之方法,包含:备置一半导体晶圆,其系具有复数个半导体晶粒形成于其之上;在各该等半导体晶粒的一主要表面上,形成可焊式电极;形成一钝化层于该等电极上方,且在各该等电极上方的该钝化层中,形成至少一开口,以曝露出该电极的一部分;在该等曝露部分上,沉积一层传导性黏附材料;预先成形复数个非球形电连接器;在各该层传导性黏附材料上,固接一预先成形的电连接器;分割该晶圆成为个别的半导体晶粒;及沉积热环氧树脂于该钝化层及该等电连接器的部分上方,以进一步强化该等电连接器与该半导体晶粒之间的连接。图式简单说明:第1图显示根据第一实施例之一半导体装置的侧视图,且其连接至一基材上的一电垫;第2图为一半导体晶粒的俯视图,其所有主要电极位于一表面上;第3图显示一具有复数个处于切分前的第2图所示的半导体晶粒之晶圆;第4图显示其上配置有一钝化层之第3图的晶圆,钝化层具有通往半导体晶粒的电极曝露部分之开口;第5图显示一可自其冲制出铜连接器且使用在根据本发明第一实施例的装置中之铜条的横剖视轮廓图;第6图显示第4图的晶圆,其具有根据本发明经由钝化层中的开口连接至半导体晶粒的电极之铜连接器;第7A图显示根据本发明第一实施例之一经切分半导体装置的仰视图;第7B图为根据第一实施例之一半导体装置自第7A图的线7B-7B方向观看之横剖视图;第7C图显示一使用于本发明第一实施例中之电连接器;第8A图显示根据本发明第二实施例之一半导体装置的仰视图;第8B图为第8A图所示的半导体装置自第8A图的线8B-8B方向观看之侧视图;第8C图显示使用于本发明第二实施例中之一电连接器的侧视图;第9A图显示根据本发明第三实施例之一半导体装置的仰视图;第9B图为第9A图所示的半导体装置自第9A图的线9B-9B方向观看之侧视图;第9C图显示使用于本发明第三实施例中之一电连接器的侧视图。 |
