| 主权项 |
1.一种具低电阻之金属薄层之制造方法,有下列步骤:a)在一承载材料上形成(1,2,3,4)具一第一晶粒规模之含金属启始层;以及b)在一含金属启始层(5A)内产生和移动一局部限界热区域(W),并以执行含金属启始层(5A)的再结晶化而达成产生具有相关于该第一晶粒规模而被扩大的第二晶粒规模之含金属层的目的。2.依据申请专利范围第1项之方法,其特征在于,步骤a)中互连(5)系于主要方向(x)及/或次要方向(y)形成,次要方向(y)本质上系垂直于主要方向;以及于步骤b)中,该热区域(W)之移动实质上系依主要方向(x)及/或次要方向(y)或与主要方向(x)及次要方向(y)呈45度的角度。3.依据申请专利范围第2项的方法,其特征在于步骤b)中局部限定热区域(W)是藉由一扇形展开之雷射光束、一热空气、一多重加热灯泡及/或一加热丝所产生。4.依据申请专利范围第3项的方法,其特征在于局部界限热区域(W)系以斜带型或点状型方式形成。5.依据申请专利范围第1项的方法,其特征在于步骤b)中局部限定热区域(W)是藉由一扇形展开之雷射光束、一热空气、一多重加热灯泡及/或一加热丝所产生。6.依据申请专利范围第5项的方法,其特征在于局部界限热区域(W)系以斜带型或点状型方式形成。7.依据申请专利范围第1项的方法,其特征在于该承载材料具有一扩散隔层(3)及/或一种仔层(4)。8.依据申请专利范围第1项的方法,其特征在于该再结晶化是在一保护气体环境中进行。9.依据申请专利范围第1项或第2项的方法,其特征在于步骤b)系被重覆进行。10.依据申请专利范围第1项或第2项的方法,其特征在于局部界限热区域(W)系以斜带型或点状型方式形成。11.依据申请专利范围第10项的方法,其特征在于该局部界限热区域(W)具有摄氏150度到450度间的温度。12.依据申请专利范围第1项或第2项的方法,其特征在于步骤a)中金属合金或杂质比例低于5%之掺质金属系被形成为该含金属启始层(5A)。13.依据申请专利范围第1项或第2项的方法,其特征在于步骤a)中,系进行一金属镶嵌法。14.依据申请专利范围第1、2、4、6项中任一项的方法,其特征在于该局部界限热区域(W)具有摄氏150度到450度间的温度。图式简单说明:第1a图及第1b图说明传统金属镶嵌法的制造步骤之简化的断面图。第2图依据先前技术所做结构性管控的再结晶化特性之简化的平面图。第3图依据第一典型具体实施例的制造方法之简化的平面图。第4图依据第二典型具体实施例的制造方法之简化的平面图。第5图依据第三典型具体实施例的制造方法之简化的平面图。 |
