Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Speichervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zur Fertigung nichtflüchtiger Speichervorrichtungen wird offenbart. Ein offenbartes Verfahren umfasst: Bilden einer Puffer-Oxid-Schicht und einer Puffer-Nitrid-Schicht auf der gesamten Oberfläche eines Halbleitersubstrats und Durchführen eines Strukturierungsprozesses; Bilden eines schwebenden Seitenwand-Gates an den Seitenwänden der strukturierten Puffer-Nitrid-Schicht; Bilden einer Block-Oxid-Schicht auf der gesamten Oberfläche des Substrats; Entfernen der Block-Oxid-Schicht und der auf der Feldregion abgeschiedenen schwebenden Seitenwand-Gates nach Strukturieren des Substrats und Öffnen der Feldregion; Abscheiden einer Polysiliziumschicht auf der gesamten Oberfläche des Substrats und Durchführen eines Strukturierungsprozesses, um eine Wortleitung zu bilden; Bilden von Seitenwand-Abstandhaltern an den Seitenwänden der schwebenden Seitenwand-Gates und der Wortleitung und Bilden von Source- und Drain-Regionen durch Implantieren von Dotiermitteln in das Substrat.