低电介绝缘层的汽相淀积方法、利用该低电介绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法、利用该绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法，更具体地涉及一种可显著地改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘的方法，从而解决了寄生电容问题以获得高开口率结构，并且当通过CVD法或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，通过使用硅烷气体可以降低工序时间。本发明还涉及一种利用该工序的薄膜晶体管及其制造方法。

主权项

1.一种汽相淀积用于半导体装置的低介电绝缘层的方法，包括通过将包括主气相源、硅烷(SiH4)、和氧化剂的反应气体混合物提供给包括基片的汽相淀积室用CVD法或PECVD法汽相淀积a-SiCOH薄膜的工序。