| 主权项 |
1.一种单片陶瓷电容器,包括: 复数个叠层式陶瓷介电层; 复数个内导体,该等复数个内导体中的每个内导体 系并列布置在该等复数个叠层式陶瓷介电层的相 应陶瓷介电层之间;及 复数个外导体,每个外导体都电连接至相应内导体 的端部, 其中该等陶瓷介电层的厚度皆为约0.5m至小于约 1.5m,该等内导体的厚度皆为约0.1m至0.4m,每 个内导体中都有空隙,并且每个内导体中空隙的总 面积百分比大于内导体面积的10%至小于40%,该等陶 瓷介电层各包含一种含有Si的烧结添加剂,并且烧 结添加剂系沈积在各内导体的空隙内。 2.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中该 等内导体是形成薄膜的内导体。 3.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中该 等内导体包含非贵重金属材料。 4.如申请专利范围第3项之单片陶瓷电容器,其中该 非贵重金属是Cu和Ni之一。 5.如申请专利范围第2项之单片陶瓷电容器,其中该 等内导体都包含非贵重金属材料。 6.如申请专利范围第5项之单片陶瓷电容器,其中非 贵重金属是Cu和Ni之一。 7.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中该 烧结添加剂以分离的方式沈积在该等内导体的空 隙中。 8.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中该 烧结添加剂不会在晶界处分离。 9.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中该 烧结添加剂不会在晶粒中的三晶接点处分离。 10.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中 该烧结添加剂不会在该等介电层与该等内导体之 间界面处分离。 11.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中 该等陶瓷介电层由平均颗粒尺寸在50nm至250nm范围 内的陶瓷粉形成。 12.如申请专利范围第11项之单片陶瓷电容器,其中 该陶瓷粉包含化学式ABO3表示的混合氧化物。 13.如申请专利范围第12项之单片陶瓷电容器,其中 该混合氧化物具有钙钛矿结构并属于正方晶系。 14.如申请专利范围第12项之单片陶瓷电容器,其中A /B莫耳比为0.95至1.05。 15.如申请专利范围第14项之单片陶瓷电容器,其中 该A/B莫耳比为1.000至1.035。 16.如申请专利范围第11项之单片陶瓷电容器,其中 该陶瓷粉中晶粒的轴比c/a为1.007至1.010。 17.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中 该等内导体具有5nm至50nm的表面粗糙度。 18.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中 该等复数个内导体被布置成交错连接至该等复数 个外导体。 19.如申请专利范围第1项之单片陶瓷电容器,其中 在该等外导体的表面上形成第一金属涂层。 20.如申请专利范围第19项之单片陶瓷电容器,其中 在该第一金属涂层上形成第二金属涂层。 图式简单说明: 图1是本发明实施例单片陶瓷电容器的截面图; 图2是单片陶瓷电容器的放大图;及 图3是表示因每个内导体中的空隙总面积百分比等 于或小于内导体面积的10%,烧结添加剂在介电层中 分离的示意图。 |
