| 发明名称 | 用于相变存储阵列的置位编程方法和写入驱动器电路 | ||
| 摘要 | 本发明的示范实施例提供了用于相变存储阵列的置位编程方法和写入驱动器电路。置位编程方法的示范实施例可包括将置位电流脉冲施加到可包括在相变存储阵列中的相变单元，这可使得该相变单元转变到置位阻抗状态。置位编程方法和/或写入驱动器电路的示范实施例可导致相变单元转变到置位阻抗状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1637948A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410081973.9 | 申请日期 | 2004.12.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 安洙珍 |
| 分类号 | G11C13/00;G11C7/00 | 主分类号 | G11C13/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邸万奎;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种用于具有多个相变单元的相变存储阵列的置位编程方法，所述相变单元响应于对其施加的电流脉冲而转变到复位阻抗状态或置位阻抗状态，该方法包括：作为将置位电流脉冲施加到相变单元的结果，而将该相变单元转变到置位阻抗状态；其中该置位电流脉冲包括多个阶段，其中该置位电流脉冲的幅度逐渐减小。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||