发明名称 半导体元件的制造方法
摘要 本发明公开了一种封装可靠性提高的半导体元件。该半导体元件所用的每个引线均有一个第一表面、一个第二表面、一个第一端面、一个第二端面和一个凹陷部分;所述第一表面位于树脂密封体的主表面和与树脂密封体的主表面相对的后表面之间,所述第二表面位于与第一表面相对的一侧并且从树脂密封体的后表面暴露出来,所述第一端面位于半导体芯片侧,所述第二端面位于与第一端面相对的一侧并且从树脂密封体的侧面暴露出来,所述凹陷部分从第二表面向第一表面侧凹下并且与第二端面相连,第二表面和凹陷部分的内壁表面被镀层覆盖,所述镀层比每个引线的第二端面具有更高的焊料浸润性。
申请公布号 CN1638111A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN200410104885.6 申请日期 2004.12.24
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 深谷修大;新谷俊幸;长谷部一
分类号 H01L23/52;H01L23/48;H01L21/60 主分类号 H01L23/52
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 何腾云
主权项 1.一种半导体元件,包括:一块半导体芯片,该半导体芯片具有位于相对侧的主表面和后表面,并且进一步具有排列在主表面上的多个电极;多个引线,它们分别与形成于半导体芯片上的多个电极电连接;和一个树脂密封体,用于密封半导体芯片和多个引线;其中,每个引线均有一个第一表面、一个第二表面、一个第一端面、一个第二端面和一个凹陷部分;所述第一表面位于树脂密封体的主表面和与主表面相对的树脂密封体的后表面之间,所述第二表面位于与第一表面相对的一侧并且从树脂密封体的后表面暴露出来,所述第一端面位于半导体芯片侧,所述第二端面位于与第一端面相对的一侧并且从树脂密封体的侧面暴露出来,所述凹陷部分从第二表面向第一表面侧凹下并且与第二端面相连,并且其中,第二表面和凹陷部分的内壁表面被镀层覆盖,所述镀层比每个引线的第二端面具有更高的焊料浸润性。
地址 日本东京