| 发明名称 | 生长硅晶体用的坩埚及生长硅晶体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于生长硅晶体的坩埚，以及一种利用该坩埚通过切克拉斯基法来生长硅晶体的方法，其中该坩埚在利用切克拉斯基法进行生长硅晶体的过程中，可增加晶体的生产率、产能及品质。本发明提供了一种用于切克拉斯基法生长硅晶体的坩埚，该坩埚的内底表面的轮廓具有与坩埚转动轴对称的至少一个凸起部分，其中该凸起部分的周边的位置与该转动轴的距离，是将要生长的晶体的半径的0.4至1.2倍；且该凸起部分的高度，位于将要生长的晶体的半径的不小于7％到不大于100％的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN1637176A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410061587.3 | 申请日期 | 2004.12.27 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 岸田丰;玉木辉幸 |
| 分类号 | C30B15/10;C30B15/00 | 主分类号 | C30B15/10 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 刘兴鹏 |
| 主权项 | 1、一种用于切克拉斯基法生长硅晶体的坩埚，该坩埚的内底表面的轮廓具有与坩埚转动轴对称的至少一个凸起部分，其中该凸起部分的周边的位置与该转动轴的距离，是将要生长的晶体的半径的0.4至1.2倍；且该凸起部分的高度，位于将要生长的晶体的半径的不小于7％到不大于100％的范围内。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||