| 主权项 |
1.一种垂直腔面射型雷射,其包含:具有第一表面及第二表面之基材;在该第一表面上之第一触点层;相邻该基材之主动区;在该主动区及该第二表面间之第一镜面;相邻该主动区之第二触点层;及在该第二触点层与该主动区间之第二镜面;其中该第二镜面包含在该第二镜面中形成电流限制结构之深的元素陷阱。2.如申请专利范围第1项之垂直腔面射型雷射,其中该深的元素陷阱系由将选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au及O所成组群之元素植入第二镜面中所产生者。3.如申请专利范围第2项之垂直腔面射型雷射,其中该垂直腔面射型雷射系经退火以移除植入损害。4.如申请专利范围第1项之垂直腔面射型雷射,其中该深的元素陷阱系藉由植入Fe至该第二镜面中所产生者。5.如申请专利范围第1项之垂直腔面射型雷射,其中该主动区包含III-V族化合物。6.如申请专利范围第5项之垂直腔面射型雷射,其中该主动区包含InP。7.如申请专利范围第5项之垂直腔面射型雷射,其中该主动区包含GaAs。8.如申请专利范围第1项之垂直腔面射型雷射,其中该深的元素陷阱系藉由植入Cr至该第二镜面中所产生者。9.一种垂直腔面射型雷射,包括:具有第一表面及第二表面之基材;在该第一表面上之第一触点层;相邻该基材之主动区;在该主动区及该第二表面间之第一镜面;相邻该主动区之第二触点层;在该第二触点层与该主动区间之第二镜面;及在该第二镜面及该主动区间之分隔器;其中该分隔器包含形成电流限制结构之深的元素陷阱。10.如申请专利范围第9项之垂直腔面射型雷射,其中该深的元素陷阱系由将选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au及O所成组群之元素植入该分隔器中所产生者。11.如申请专利范围第9项之垂直腔面射型雷射,其中该深的元素陷阱系藉由植入Fe至该分隔器中所产生者。12.如申请专利范围第9项之垂直腔面射型雷射,其中该主动区包含III-V族化合物。13.如申请专利范围第12项之垂直腔面射型雷射,其中该主动区包含InP。14.如申请专利范围第12项之垂直腔面射型雷射,其中该主动区包含GaAs。15.如申请专利范围第9项之垂直腔面射型雷射,其中该深的元素陷阱系藉由植入Cr至该分隔器中所产生者。16.一种垂直腔面射型雷射阵列,其包含:具有第一表面及第二表面之基材;在该第一表面上之第一触点层;相邻该基材用以发射光之数个主动区;在该数个主动区及该第二表面间之第一镜面;数个第二触点层,各相邻该相关之主动区;及在该数个第二触点层与该数个主动区间之第二镜面;其中该阵列包含形成电流限制结构之深的元素陷阱区域,该结构可引导电流自该数个第二触点层流入该数个主动区。17.如申请专利范围第16项之垂直腔面射型雷射阵列,其中该深的陷阱系由将选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au及O所成组群之元素植入所产生者。18.如申请专利范围第16项之垂直腔面射型雷射阵列,其中该深的陷阱系藉由植入Fe所产生者。19.如申请专利范围第16项之垂直腔面射型雷射阵列,其中该深的陷阱系藉由植入Cr所产生者。20.如申请专利范围第16项之垂直腔面射型雷射阵列,其中各主动区包含至少一个量子洞。21.如申请专利范围第17项之垂直腔面射型雷射阵列,其中该元素系植入该主动区者。图式简单说明:图1说明典型之垂直腔面射型雷射;及图2说明依据本发明理论之垂直腔面射型雷射阵列。 |
