| 发明名称 |
METHOD FOR FABRICATING NON-VOLATILE MEMORY USING QUANTUM DOT |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR20050070886(A) |
申请公布日期 |
2005.07.07 |
| 申请号 |
KR20030101443 |
申请日期 |
2003.12.31 |
| 申请人 |
DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
KOH, KWAN JOO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/335;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
