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发明名称
METHOD FOR FABRICATING SILICIDE OF GATE ELECTRODE
摘要
申请公布号
KR20050070792(A)
申请公布日期
2005.07.07
申请号
KR20030101049
申请日期
2003.12.31
申请人
DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC.
发明人
LEE, SANG GI
分类号
H01L21/24;(IPC1-7):H01L21/24
主分类号
H01L21/24
代理机构
代理人
主权项
地址
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