| 摘要 |
本发明揭露一种形成多闸极绝缘层厚度之半导体元件的制程，其中半导体基材暴露的表面在光阻剥除程序中受到了保护。在半导体基材的全部表面上成长一绝缘层后，选择性地移除绝缘层未被光阻覆盖的部分。接着使用两阶段的光阻移除程序，先使用臭氧水，在半导体表面裸露的部分上形成薄氧化矽层时，部分地移除光阻。随后使用硫酸–过氧化氢混合液(SulfuricAcid–Hydrogen Peroxide Mixture；SPM)，完成移除包括光阻残余物的光阻移除程序，而在臭氧水过程中形成薄的化学氧化矽层(大于7埃)，此化学氧化矽层足以隔绝硫酸–过氧化氢混合液和矽基材形成较差之氧化矽层。再进行一氧化程序，形成第一闸极绝缘层于原来的绝缘层上，与一较薄的第二闸极绝缘层于薄氧化矽层上。 |
