根据温度变化而具有最佳的再新周期之半导体记忆元件及其方法

摘要

一种执行一再新动作之半导体记忆元件，其包含一温度感测单元、一类比数位转换单元及一再新控制单元，其中该温度感测单元用以测量温度并利用该测得温度产生一温控电压与一参考电流；该类比数为转换单元用以依该参考电流将该温控讯号转换成一N位元数位讯号；而该再新控制单元用以在该N位元数位讯号产生后产生一再新讯号，其中该再新讯号之周期被依该N位元数位讯号所控制。