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Procedimiento para atacar un substrato (20) en un dispositivo de evaporación por arco voltaico (10), en el que fluye una corriente de arco voltaico de fuerza I dentro de un espacio en el que se ha hecho el vacío (12) entre un ánodo y un blanco (14, 16, 18, 40) compuesto de metal que actúa como cátodo para evaporar material del blanco y generar una densidad iónica metálica, caracterizado porque la densidad iónica metálica por blanco (14, 16, 18, 40) eficaz para el tratamiento del substrato (20) se regula por medio de la cobertura al menos parcial del blanco, teniendo lugar un cambio de la densidad iónica metálica por blanco (14, 16, 18, 40) de tal forma que tiene lugar una reducción aparente de la intensidad de corriente de arco voltaico en un valor bajo el cual fluye una corriente de arco voltaico inestable entre el ánodo y el cátodo
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