一种集成电路制造工艺技术中的浅沟隔离工艺

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域，具体是一种不使用有源区硬掩膜和化学机械抛光工艺流程的浅沟隔离工艺。浅槽隔离技术(STI)是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。其中较为突出的是在化学机械抛光工艺中的Dishing和Erosion的问题；有源区保护硬掩膜刻蚀中产生的硅锥问题。本发明工艺是在硅表面直接淀积高密等离子氧化层产生隔离槽并在其表面淀积薄膜，利用材料的表面回流和平坦化回刻刻蚀工艺达到平坦效果，取代化学机械抛光和有源区保护硬掩膜工艺，有效解决上述问题。

主权项

1、一种集成电路制造工艺技术中的浅沟隔离工艺，其特征在于直接对硅表面工艺处理产生隔离槽，淀积2~5层薄膜，采用材料的表面回流和平坦化回刻刻蚀工艺，形成浅沟隔离。