| 发明名称 | 掺铬镱铝石榴石晶体的生长方法 | ||
| 摘要 | 一种掺Cr<SUP>4+</SUP>镱铝石榴石晶体的生长方法，该方法的原料配方为：5(1－x)Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>+3(1－y)Yb<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>+5xCr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>+6yCaCO<SUB>3</SUB>＝2Yb<SUB>3(1－y)</SUB>Cr<SUB>5x</SUB>Ca<SUB>3y</SUB>Al<SUB>5(1－x)</SUB>O<SUB> (12－3y/2)</SUB>+6yCO<SUB>2</SUB>其中0.01％≤x≤ 1％，x≤y≤5x；在普通的中频感应加热单晶炉采用提拉法生长。本发明容易生长掺Cr<SUP>4+</SUP>镱铝石榴石晶体，晶体可直接采用InGaAs半导体激光器泵浦，实现自调Q1030nm激发输出。 | ||
| 申请公布号 | CN1632184A | 申请公布日期 | 2005.06.29 |
| 申请号 | CN200410067699.X | 申请日期 | 2004.11.02 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 徐晓东;徐军;赵志伟;宋平新;夏长泰;张连瀚;赵广军;邓佩珍 |
| 分类号 | C30B15/00;C30B29/28 | 主分类号 | C30B15/00 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种掺Cr4+镱铝石榴石晶体的生长方法，其特征在于该晶体的原料配方为：其中0.01％≤x≤1％ x≤y≤5x在普通的中频感应加热单晶炉采用提拉法生长。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||