发明名称 | 电子元件及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供电子元件及其制造方法,其生产周期缩短,裂缝和弯曲很难发生并能降低成本。该电子元件包括:通过把在树脂中混入粉末状功能材料而制成的复合材料制成薄板并固化而形成的中心基板;在中心基板的至少一面上通过薄膜形成技术制成的并被制成图形的且厚度小于5微米的薄膜导体;由复合材料构成的且作为粘结层的预浸料坯;中心基板和预浸料坯被交替层压并被热压成一体。该方法包括:把在树脂中混入粉末状功能材料而制成的复合材料制成薄板并通过固化而形成中心基板,在中心基板的至少一面上形成厚度小于5微米的薄膜导体并制成图形,形成由复合材料构成的且作为粘结层的预浸料坯,交替层压中心基板和预浸料坯并热压成一体。 | ||
申请公布号 | CN1208792C | 申请公布日期 | 2005.06.29 |
申请号 | CN02105629.3 | 申请日期 | 2002.02.22 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 高谷稔;远藤敏一 |
分类号 | H01F17/00;H01F41/00 | 主分类号 | H01F17/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
主权项 | 1、一种电子元件,它包括:通过把在树脂中混入粉末状功能材料而制成的复合材料制成薄板并固化而形成的中心基板;在该中心基板的前、后表面中的至少一面上通过薄膜形成技术制成的并被制成图形的且厚度小于5微米的薄膜导体;由在树脂中混入粉末状功能材料制成的复合材料构成的且作为粘结层的预浸料坯;其中,构成所述薄膜导体的该中心基板和该预浸料坯被交替层压并通过热压被制成一体。 | ||
地址 | 日本东京都 |