发明名称 PHOTODETECTOR COMPRISING A MONOLITHICALLY INTEGRATED TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER AND EVALUATION ELECTRONICS, AND PRODUCTION METHOD
摘要 <p>Die Erfindung soll einen Fotodetektor (10) so gestalten, dass sich bei Detektoren für niedrige zu verarbeitende Lichtleistungen beim Stand der Technik keine Nachteile ergeben, insbesondere wenn es um eine monolithische Integration mit der Auswerteelektronik geht. Vorgeschlagen wird dazu ein Fotodetektor für geringe zu verarbeitende Lichtleistungen mit Transimpedanz-Verstärker und Auswerteelektronik in monolithischer Integration. Ein eigentlicher Fotozellenteil (20) ist der einen Chipseite zugeordnet, auf der vorzugsweise das Licht einfällt. Elektronische Schaltungsteile (30) sind auf der entgegengesetzten Chipseite angeordnet. Elektrische Verbindungen (40) zwischen der Fotozelle und der elektronischen Schaltung sind mit einer Ausdehnung in Richtung zu einer Senkrechten zur Chipnormalen vorhanden.</p>
申请公布号 WO2005057667(A1) 申请公布日期 2005.06.23
申请号 WO2004DE02672 申请日期 2004.12.06
申请人 X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG;MELEXIS GMBH;BACH, KONRAD;HOELKE, ALEXANDER;ECKOLDT, UWE;EINBRODT, WOLFGANG;STAHL, KARL-ULRICH 发明人 BACH, KONRAD;HOELKE, ALEXANDER;ECKOLDT, UWE;EINBRODT, WOLFGANG;STAHL, KARL-ULRICH
分类号 H01L27/144;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/10;(IPC1-7):H01L31/10;H01L31/022 主分类号 H01L27/144
代理机构 代理人
主权项
地址