| 摘要 |
本发明系关于一种形成一隔离膜于半导体装置的方法。形成用于隔离的一沟渠之后，藉由处理后的洁净步骤中利用BFN将一种聚合物膜层剥去。一处理前的洁净步骤只使用SC–1进行，然后执行一侧面墙的氧化步骤，如此可以改善该沟渠侧面墙粗糙的缺点，并且容易地剥除聚合物。此外，因为可以省略一种传统的蚀刻处理后(PET)步骤，所以一种制造隔离膜的方法被简化。而且也可以防止植入一半导体基板的掺杂质向外扩散，其于该侧面墙氧化步骤之前，经由使用CLN N之一处理前的洁净步骤进行。随后在该沟渠的顶角处形成一斜坡，可以避免一闸氧化物膜的薄化现象，其沉积在该沟渠角落处的闸氧化物膜比一期望厚度薄。这也可以改善一装置的电性质，因为一如目标关键尺寸一样大的主动区域得以确保。 |
