发明名称 | 压印用模仁之制程与结构 | ||
摘要 | 本发明系有关一种压印用模仁之制程方法与结构,其主要系可用于奈米压印技术中。本发明系于一基板材料上依序形成一钻石材料层与一光阻层,其中该阻剂(Resist)层与钻石材料相比更具有蚀刻抵抗性。接着利用能量束微影技术使光阻层形成特定排列图案之光阻遮罩,再利用钻石材料与光阻层材料之蚀刻选择比的差异,以乾蚀刻方式直接对于钻石材料表面进行蚀刻制程便可轻易形成相对应该阻剂遮罩图样之凹凸图形,进而完成以钻石材料为主体之压印用模仁。此一模仁结构除了具有高抗磨性外,还兼具有脱模容易之特性。 | ||
申请公布号 | TW200519033 | 申请公布日期 | 2005.06.16 |
申请号 | TW092134632 | 申请日期 | 2003.12.09 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 蔡宏营;吴志宏;程智勇 |
分类号 | B81C1/00;C01B31/06;H01L21/027 | 主分类号 | B81C1/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |