| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括半导体衬底和以节距X1排列的凸电极阵列。每个凸电极具有高度X3，并且形成于直径为X2的阻挡金属基底上，该阻挡金属基底连接到该半导体衬底上所排列的电极，以满足关系(X1/2)≤X2≤(3×X1/4)和(X1/2)≤X3≤(3×X1/4)。 | ||
| 申请公布号 | CN1627512A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN200410097360.4 | 申请日期 | 2004.11.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 石栗雅彦;松木浩久;依田博行;冈本九弘;生云雅光;千叶修一 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60;H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑特强;经志强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及以节距X1排列的凸电极阵列，每个所述凸电极具有高度X3，并且形成于直径为X2的阻挡金属基底上，该阻挡金属基底连接到排列于该半导体衬底上的电极，以满足关系(X1/2)≤X2≤(3×X1/4)和(X1/2)≤X3≤(3×X1/4)。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||