发明名称 | 基于俄歇的薄膜计量 | ||
摘要 | 一种分析在试样的表面上的底层之上形成的薄膜的设备,该薄膜包括第一元素,同时底层包括第二元素。该设备包括导向电子束以撞击到在其上形成了薄膜的试样表面上的点上的电子枪。电子检测器接收由第一和第二元素响应撞击的电子束而发射的俄歇电子并输出表示所发射的电子的能量分布的信号。控制器接收该信号并分析该能量的分布以确定在薄膜中第一元素的成分和薄膜的厚度。 | ||
申请公布号 | CN1628246A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
申请号 | CN03803199.X | 申请日期 | 2003.02.04 |
申请人 | 应用材料有限公司;应用材料以色列有限公司 | 发明人 | 亚历山大·凯蒂塞维奇;艾维·西蒙 |
分类号 | G01N23/225;G01N23/227 | 主分类号 | G01N23/225 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
主权项 | 1.一种分析在试样的表面上的底层之上形成的薄膜的设备,所述薄膜包括第一元素,同时底层包括第二元素,所述设备包括:电子枪,其适合于导向电子束以撞击到在其上形成有薄膜的试样表面上的点上;电子检测器,其适合于接收由第一和第二元素响应所述撞击的电子束而发射的俄歇电子,并输出表示所发射的电子的能量分布的信号;和控制器,其被耦合以接收所述信号并分析所述能量的分布,以确定在薄膜中第一元素的成分和薄膜的厚度。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |