| 主权项 |
1.一种具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其包含:一基板,其系具有一植球面,其中该植球面系包含有一元件接合区、一元件保护区及一焊球接合区;复数个焊球,其系设于该基板之植球面之焊球接合区;至少一表面接着元件[SMD component],其系接合于该基板之植球面之元件接合区;及一元件保护机构,其系包含有复数个支撑元件,该些支撑元件系设于该基板之植球面之元件保护区,该些支撑元件系具有一高于该些焊球回焊温度之熔点,且该些支撑元件系具有一高于该表面接着元件之支撑高度。2.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该元件保护区系环烧该元件接合区。3.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该些支撑元件系介于该表面接着元件与该些焊球之间。4.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该表面接着元件系为被动元件。5.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该些支撑元件系为金属球。6.如申请专利范围第1或5项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该元件保护机构另包含有复数个焊膏,以结合该些支撑元件于该基板之植球面。7.如申请专利范围第5项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该些金属球系为选自于铜球、高铅焊球之其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该些支撑元件之支撑高度系至少大于该表面接着元件之厚度0.05mm以上。9.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该些支撑元件系具有0.4 ~0.7mm之一致支撑高度。10.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该些支撑元件之支撑高度系小于该些焊球之球径。11.如申请专利范围第10项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该些支撑元件之支撑高度系小于该些焊球之球径在0.05 ~0.15mm之间。12.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该基板系选自半导体晶片、晶圆、晶片尺寸封装件、封装基板与模组基板之其中之一。13.如申请专利范围第1项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该基板之元件保护区系形成有复数个金属连接垫,以接合该些支撑元件。14.如申请专利范围第13项所述之具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置,其中该些金属连接垫系为不具电性传递之虚垫[dummy pad]。15.一种具有植球面元件保护之半导体装置,其包含:一基板,其系具有一植球面,该植球面系定义有一元件接合区;至少一表面接着元件[SMD component],其系接合于该基板之植球面之元件接合区;及一元件保护机构,其系包含有复数个支撑元件,该些支撑元件系设于该基板之植球面,该些支撑元件系具有一高于该表面接着元件之支撑高度。16.如申请专利范围第15项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该元件接合区系配置于该植球面之中央。17.如申请专利范围第15项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该些支撑元件系围烧该表面接着元件。18.如申请专利范围第15项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该表面接着元件系为被动元件。19.如申请专利范围第15项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该些支撑元件系为金属球。20.如申请专利范围第15或19项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该元件保护机构另包含有复数个焊膏,以结合该些支撑元件于该基板之植球面。21.如申请专利范围第19项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该些金属球系为选自于铜球、高铅焊球之其中之一。22.如申请专利范围第15项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该些支撑元件之支撑高度系至少大于该表面接着元件之厚度0.05mm以上。23.如申请专利范围第15项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该些支撑元件系具有0.4~0.7mm之一致支撑高度。24.如申请专利范围第15项所述之具有植球面元件保护之半导体装置,其中该基板系选自半导体晶片、晶圆、晶片尺寸封装件、封装基板与模组基板之其中之一。25.一种球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其包含:一外电路板;一基板,其系具有一植球面,其中该植球面系包含有一元件接合区;至少一表面接着元件[SMD component],其系接合于该基板之植球面之元件接合区且不接触该外电路板;复数个焊球,其系连接于该基板之植球面与该外电路板之间;及一元件保护机构,其系包含有复数个支撑元件,该些支撑元件系形成于该基板之植球面与该外电路板之间,且该些支撑元件系具有一高于该些焊球回焊温度之熔点,该些支撑元件系具有一高于该表面接着元件之支撑高度。26.如申请专利范围第25项所述之球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其中该些支撑元件系介于该表面接着元件与该些焊球之间。27.如申请专利范围第25项所述之球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其中该表面接着元件系为被动元件。28.如申请专利范围第25项所述之球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其中该些支撑元件系为金属球。29.如申请专利范围第25或28项所述之球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其中该元件保护机构另包含有复数个焊膏,以结合该些支撑元件于该基板之植球面。30.如申请专利范围第25项所述之球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其中该些金属球系为选自于铜球、高铅焊球之其中之一。31.如申请专利范围第25项所述之球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其中该些支撑元件之支撑高度系至少大于该表面接着元件之厚度0.05mm以上。32.如申请专利范围第25项所述之球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其中该些支撑元件系具有0.4 ~0.7mm之一致支撑高度。33.如申请专利范围第25项所述之球格阵列半导体装置与外电路板之组合构造,其中该基板系选自半导体晶片、晶片尺寸封装件、封装基板与模组基板之其中之一。34.一种电子装置,其包含:一基板,其系具有一植球面;复数个第一金属球,其系设于该基板之植球面;复数个第二金属球,其系设于该基板之植球面;及至少一表面接着元件[SMD component],其系接合于该基板之植球面;其中该些第二金属球系形成在该表面接着元件与该些第一金属球之间且围烧该表面接着元件之周边,该些第二金属球之球径系小于该些第一金属球之球径且大于该表面接着元件之厚度,并且该些第二金属球之熔点系高于该些第一金属球之熔点。35.如申请专利范围第34项所述之电子装置,其中该些第二金属球之球径系在0.4~0.7mm之间。36.如申请专利范围第34项所述之电子装置,其中该基板系选自半导体晶片、晶片尺寸封装件、封装基板与模组基板之其中之一。图式简单说明:第1图:依据本发明之一具体实施例,一种具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置之截面示意图;第2图:依据本发明之一具体实施例,该具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置其植球面之示意图;第3图:依据本发明之一具体实施例,该具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置组合至一外电路板之截面示意图;及第4图:依据本发明之另一具体实施例,一种具有植球面元件保护之球格阵列半导体装置之截面示意图。 |
