发明名称 主动式全彩化有机电激发光显示器及其制作方法
摘要 一种主动式全彩化有机电激发光显示器及其制作方法。该主动式全彩化有机电激发光显示器包含一基板;复数个多晶矽薄膜电晶体,形成于该基板之上;一隔离层形成于该基板及该多晶矽薄膜电晶体之上;一彩色滤光片形成于该隔离层之上;一透明电极形成于该彩色滤光片上;一有机发光二极体材料层形成于该透明电极上;以及一金属层,形成于该有机发光二极体材料层之上。
申请公布号 TWI234125 申请公布日期 2005.06.11
申请号 TW092127403 申请日期 2003.10.03
申请人 统宝光电股份有限公司 发明人 蔡耀铭;张世昌
分类号 G09F9/30;H05B33/00 主分类号 G09F9/30
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种主动式全彩化有机电激发光显示器,至少包 含: 一基板; 复数个多晶矽薄膜电晶体,形成于该基板之上; 一隔离层形成于该基板及该多晶矽薄膜电晶体之 上; 一彩色滤光片形成于该隔离层之上; 一透明电极形成于该彩色滤光片上,且耦接于上述 电晶体; 一图形化绝缘层形成于该透明电极之上,并露出部 分该透明电极,以定义出一有机发光二极体材料层 预定区,其中该有机发光二极体材料层预定区系位 于该彩色滤光片正上方的范围内; 一有机发光二极体材料层形成于该有机发光二极 体材料层预定区,以使该有机发光二极体材料层与 该透明电极接触;以及 一金属层,形成于该有机发光二极体材料层之上。 2.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,其中该间隔层之表面具有一彩色 滤光片预定区,而该彩色滤光片系形成于该彩色滤 光片预定区上。 3.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,更包括一包覆层形成于该间隔层 及该彩色滤光片之上,以使该透明电极形成于该包 覆层上。 4.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,更包括一缓冲层,使该缓冲层位 于该多晶矽薄膜电晶体与该基底之间。 5.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,其中多晶矽薄膜电晶体系具有一 多晶矽层,而该多晶矽层系以一非晶矽层进行准分 子雷射(ELA)制程、固态结晶或是金属诱导液相结 晶后经由固或液相长晶所形成。 6.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,其中该基板系为玻璃或塑胶基板 。 7.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,其中该包覆层系由介电材质所构 成。 8.如申请专利范围第3项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,其中该包覆层系择自绝缘之氧化 物、碳化物、氮化物及其组合物所组成之族群中 。 9.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,更包括一画素电极与该透明电极 及该薄膜电晶体之一汲极接触。 10.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,其中该透明电极系为铟锡氧化物 (ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)或是氧化 锌(ZnO)。 11.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,其中该有机发光二极体材料层系 为小分子或高分子之白光有机发光二极体材料。 12.如申请专利范围第1项所述之主动式全彩化有机 电激发光显示器,其中该彩色滤光片之形成方式系 为颜料分散法、染色法、电着法或是印刷法。 13.一种主动式全彩化有机电激发光显示器的制作 方法,至少包含下列步骤: 提供一基板; 形成复数个多晶矽薄膜电晶体于该基板之上,作为 该有机电激发光显示器的控制电路; 形成一隔离层于该基板; 形成一彩色滤光片于该隔离层上; 形成一透明电极于该彩色滤光片,且耦接于上述电 晶体; 形成一图形化绝缘层于该透明电极之上,并露出部 分该透明电极以定义出一有机发光二极体材料层 预定区,其中该有机发光二极体材料层预定区系位 于该彩色滤光片正上方的范围内; 形成一有机发光二极体材料层于该有机发光二极 体材料层预定区,以使该有机发光二极体材料层与 该透明电极接触;以及 形成一金属层于该有机发光二极体材料层之上。 14.如申请专利范围第13项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中该间隔层之表 面具有一彩色滤光片预定区,而该彩色滤光片系形 成于该彩色滤光片预定区上。 15.如申请专利范围第13项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,更包括形成一包覆 层于该间隔层及该彩色滤光片之上,以使该透明电 极形成于该包覆层上。 16.如申请专利范围第15项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中在形成该包覆 层之步骤更包括使用化学机械研磨制程对该包覆 层的表面进行平坦化处理。 17.如申请专利范围第13项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,在形成多晶矽薄膜 电晶体之前更包括形成一缓冲层于该基板,以使该 缓冲层位于该多晶矽薄膜电晶体与该基底之间。 18.如申请专利范围第13项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中多晶矽薄膜电 晶体系包括一多晶矽层,而该多晶矽层系以一非晶 矽层进行准分子雷射(ELA)制程、固态结晶或是金 属诱导液相结晶后经由固或液相长晶所形成。 19.如申请专利范围第15项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中该包覆层系由 介电材质所构成。 20.如申请专利范围第15项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中该包覆层系择 自绝缘之氧化物、碳化物、氮化物及其组合物所 组成之族群中。 21.如申请专利范围第15项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中该包覆层系以 溅射或电浆强化式化学气相沉积方式所形成。 22.如申请专利范围第13项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中该彩色滤光片 之形成方式系为颜料分散法、染色法、电着法或 是印刷法。 23.如申请专利范围第13项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中该有机发光二 极体材料层系为小分子或高分子之白光有机发光 二极体材料。 24.如申请专利范围第23项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中该小分子白光 有机发光二极体材料系利用真空蒸镀方式以形成 有机发光二极体材料层。 25.如申请专利范围第23项所述之主动式全彩化有 机电激发光显示器的制作方法,其中该高分子白光 有机发光二极体材料系利用旋转涂布、喷墨或网 版印刷方式以形成有机发光二极体材料层。 图式简单说明: 第1图系一剖面结构示意图,系显示习知利用三色 发光层法所制成之主动式有机电激发光元件的画 素结构; 第2a图至第2d图显示系显示习知利用三色发光层法 所制成之主动式有机电激发光元件的制作流程; 第3图系一剖面结构示意图,系显示另一种习知之 主动式全彩化有机电激发光元件的画素结构;以及 第4a图至第4f图显示系显示本发明所述之主动式全 彩化有机电激发光显示器的制作流程。
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