形成于绝缘体外延矽之金属氧化物半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其包括一第一导电类型之基板、一在该基板之至少一部分上形成之绝缘层、及一在该绝缘层之至少一部分上形成的第二导电类型之磊晶层。在该磊晶层中接近该磊晶层之上表面之位置形成第二导电类型之第一及第二源极／汲极区，该第一源极／汲极区与该第二源极／汲极区彼此横向间隔。在该磊晶层上方接近该磊晶层上表面处且至少部分地在该第一源极／汲极区与该第二源极／汲极区之间形成一闸极。该装置进一步包括一穿过该磊晶层与该绝缘层而形成之第一源极／汲极接点及一穿过该磊晶层而形成之第二源极／汲极接点，该第一源极／汲极接点被组态以使其与该基板、该第一源极／汲极区及该磊晶层直接电连接，该第二源极／汲极接点被组态以使其与该第二源极／汲极区直接电连接。