| 主权项 |
1.一种电性连接结构,用以电性连接一晶片与一承载元件,该晶片具有一第一表面,该承载元件则具有一与该第一表面相对之第二表面,该电性连接结构包括:二个外侧接点,设于该第一表面上;M个内侧接点,设于该第一表面上且相对于该二个外侧接点位于该第一表面之内侧,且该M个内侧接点系位于该二个外侧接点之间,其中,M系大于等于二之正整数;二条外侧导线,设于该第二表面上,该二条外侧导线系与该二个外侧接点相对;以及M条内侧导线,设于该第二表面上且与该M个内侧接点相对;该晶片与该承载元件系透过该二个外侧接点与该二条外侧导线之电性接触,以及该M个内侧接点与该M条内侧导线之电性接触而电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之电性连接结构,其中,该M条内侧导线中至少有一条系呈弯折形状后,朝该第一表面之外侧方向延伸。3.如申请专利范围第2项所述之电性连接结构,其中,该条呈弯折形状之内侧导线的弯折角度系为45度、90度或135度。4.如申请专利范围第2项所述之电性连接结构,其中,该条呈弯折形状之内侧导线的弯折形状为圆弧状。5.如申请专利范围第2项所述之电性连接结构,其中,该二个外侧接点与该M个内侧接点系为凸块(bump)。6.如申请专利范围第5项所述之电性连接结构,其中,该凸块系为金凸块。7.如申请专利范围第2项所述之电性连接结构,其中,该承载元件系晶粒薄膜接合技术(Chip on Film,COF)中所使用之薄膜,而该二条外侧导线与该M条内侧导线系内引脚(inner lead)。8.如申请专利范围第2项所述之电性连接结构,其中,该承载元件系卷带式晶粒接合技术(Tape CarrierPackage,TCP)中所使用之卷带,而该二条外侧导线与该M条内侧导线系内引脚。9.如申请专利范围第2项所述之电性连接结构,其中,该承载元件系晶粒玻璃接合技术(Chip on Glass,COG)中之玻璃基板。10.如申请专利范围第1项所述之电性连接结构,其中,该M条内侧导线与该二条外侧导线系为平行排列。11.如申请专利范围第10项所述之电性连接结构,其中,该M条内侧导线等间距排列于该二个外侧接点之间。12.如申请专利范围第1项所述之电性连接结构,其中,M系等于二,且该M条内侧导线至少有一条系呈弯折形状后,朝该第一表面之外侧方向延伸。13.如申请专利范围第12项所述之电性连接结构,其中,该条呈弯折形状之内侧导线的弯折角度系为45度、90度或135度。14.如申请专利范围第13项所述之电性连接结构,其中,该M条内侧导线等间距排列于该二个外侧接点之间。15.一种晶片与承载元件组,包括:一晶片,具有一第一表面,该晶片包括:二个外侧接点,设于该第一表面上;及M个内侧接点,设于该第一表面上且相对于该二个外侧接点位于该第一表面之内侧,且该M个内侧接点系位于该二个外侧接点之间,其中,M系大于等于二之正整数;以及一承载元件,具有一与该第一表面相对之第二表面,该承载元件包括:二条外侧导线,设于该第二表面上,该二条外侧导线系与该二个外侧接点相对;及M条内侧导线,设于该第二表面上且与该M个内侧接点相对;该晶片与该承载元件系透过该二个外侧接点与该二条外侧导线之电性接触,以及该M个内侧接点与该M条内侧导线之电性接触而电性连接。16.如申请专利范围第15项所述之晶片与承载元件组,其中,该M条内侧导线中至少有一条系呈弯折形状后,朝该第一表面之外侧方向延伸。17.如申请专利范围第16项所述之晶片与承载元件组,其中,该条呈弯折形状之内侧导线的弯折角度系为45度、90度或135度。18.如申请专利范围第16项所述之晶片与承载元件组,其中,该条呈弯折形状之内侧导线的弯折形状为圆弧状。19.如申请专利范围第16项所述之晶片与承载元件组,其中,该二个外侧接点与该M个内侧接点系为凸块。20.如申请专利范围第19项所述之晶片与承载元件组,其中,该凸块系为金凸块。21.如申请专利范围第16项所述之晶片与承载元件组,其中,该承载元件系晶粒薄膜接合技术中所使用之薄膜,而该二条外侧导线与该M条内侧导线系内引脚。22.如申请专利范围第16项所述之晶片与承载元件组,其中,该承载元件系卷带式晶粒接合技术中所使用之卷带,而该二条外侧导线与该M条内侧导线系内引脚。23.如申请专利范围第16项所述之晶片与承载元件组,其中,该承载元件系晶粒玻璃接合技术中之玻璃基板。24.如申请专利范围第15项所述之晶片与承载元件组,其中,该M条内侧导线与该二条外侧导线系为平行排列。25.如申请专利范围第24项所述之晶片与承载元件组,其中,该M条内侧导线等间距排列于该二个外侧接点之间。26.如申请专利范围第15项所述之晶片与承载元件组,其中,M系等于二,且该M条内侧导线至少有一条系呈弯折形状后,朝该第一表面之外侧方向延伸。27.如申请专利范围第26项所述之晶片与承载元件组,其中,该条呈弯折形状之内侧导线的弯折角度系为45度、90度或135度。28.如申请专利范围第27项所述之晶片与承载元件组,其中,该M条内侧导线等间距排列于该二个外侧接点之间。图式简单说明:第1图绘示乃传统之电性连接结构的示意图。第2图绘示乃依照本发明较佳实施例之电性连接结构的示意图。第3A图绘示乃呈弯折形状之内侧导线的弯折角度为45度时的示意图。第3B图绘示乃呈弯折形状之内侧导线的弯折角度为90度时的示意图。第3C图绘示乃呈弯折形状之内侧导线的弯折角度为135度时的示意图。第3D图绘示乃呈弯折形状之内侧导线的弯折形状为圆弧状时的示意图。 |
