| 主权项 |
1.一种光记录媒体之制造方法,上述光记录媒体具有形成于基材之一表面上至少一层以光照射进行初期化之记录层、与形成于上述记录层上之透光层,上述光记录媒体之制造方法包括:形成上述记录层;对上述记录层进行初期化;以及于上述完成初期化之记录层上形成上述透光层。2.一种光记录媒体之制造方法,上述光记录媒体具有形成于基材之一表面上以光照射进行初期化之复数记录层、与分别形成于上述各记录层上之透光层,上述光记录媒体之制造方法包括:形成上述复数记录层;每当上述各记录层形成后,分别对上述各记录层进行初期化;以及于上述完成初期化之各记录层上分别形成上述透光层。3.一种光记录媒体之制造方法,上述光记录媒体具有依序形成于基材之一表面上之反射层、以光照射进行初期化之记录层、与透光层,上述光记录媒体之制造方法包括:形成上述记录层;对上述记录层进行初期化;以及于上述完成初期化之记录层上形成上述透光层。4.如申请专利范围第1、2或3项所述之光记录媒体之制造方法,其中上述记录层进行初期化时,以与读取用雷射光束及记录用雷射光束之照射方向同一方向,对上述记录层照射初期化用雷射光束来进行初期化。5.一种光记录媒体之制造方法,上述光记录媒体具有形成于基材之一表面上分别包括记录层之复数层、与形成于上述各层间之间隔层,其中上述记录层以光照射进行初期化,上述光记录媒体之制造方法包括下列中间步骤:形成一层上述层,其中上述层对通过其上层之上述间隔层入射之初期化用雷射光束于初期状态下之光反射率为30%以下;对上述层照射上述初期化用雷射光束,以进行初期化;于完成初期化之上述层上形成上述间隔层;于上述间隔层上形成另一上述层;以及对另一上述层照射上述初期化用雷射光束,以进行初期化。6.一种光记录媒体之制造方法,上述光记录媒体具有形成于基材之一表面上分别包括记录层之复数层、与形成于上述各层间之间隔层,其中上述记录层以光照射进行初期化,上述光记录媒体之制造方法包括下列中间步骤:形成一层上述层,其中上述层对通过其上层之上述间隔层入射之初期化用雷射光束于初期状态下之光反射率为30%以下;于上述层上形成上述间隔层;对上述层照射通过上述间隔层之上述初期化用雷射光束,以进行初期化;于上述间隔层上形成另一上述层;以及对另一上述层照射上述初期化用雷射光束,以进行初期化。7.如申请专利范围第5或6项所述之光记录媒体之制造方法,其中上述层对记录用雷射光束与读取用雷射光束之光反射率在20%以上。8.如申请专利范围第7项所述之光记录媒体之制造方法,其中上述记录用雷射光束与读取用雷射光束系使用未满500nm之波长的光;上述初期化用雷射光束系使用500nm以上1000nm以下之波长的光。9.如申请专利范围第1、2、3、5或6项所述之光记录媒体之制造方法,其中上述记录层系以相变化材料所形成。10.一种光记录媒体之制造装置,上述光记录媒体具有形成于基材之一表面上至少一层以光照射进行初期化之记录层、与形成于上述记录层上之透光层,上述光记录媒体之制造装置包括:记录层形成装置,用以于上述基材之表面上形成至少一层之上述记录层;初期化装置,用以对上述记录层形成装置所形成之上述记录层进行初期化;以及透光层形成装置,用以于经由上述初期化装置完成初期化之上述记录层上形成上述透光层。11.一种光记录媒体之制造装置,上述光记录媒体具有形成于基材之一表面上以光照射进行初期化之复数记录层、与分别形成于上述各记录层上之透光层,上述光记录媒体之制造装置包括:记录层形成装置,用以于上述基材之表面上形成上述复数记录层;初期化装置,用以在每次上述记录层形成装置一形成上述各记录层后,进行上述各记录层之初期化;以及透光层形成装置,用以于每次上述初期化装置完成初期化之上述记录层上形成上述透光层。12.一种光记录媒体之制造装置,上述光记录媒体具有依序形成于基材之一表面上之反射层、以光照射进行初期化之记录层、与透光层,上述光记录媒体之制造装置包括:反射层形成装置,用以于上述基材之表面上形成上述反射层;记录层形成装置,用以于上述反射层上形成上述记录层;初期化装置,用以对上述记录层形成装置所形成之上述记录层进行初期化;以及透光层形成装置,用以于以上述初期化装置完成初期化之上述记录层上形成上述透光层。13.如申请专利范围第10、11或12项所述之光记录媒体之制造装置,其中上述初期化装置系以与读取用雷射光束及记录用雷射光束之照射方向同一方向,对上述记录层照射初期化用雷射光束来进行初期化。14.一种光记录媒体之制造装置,上述光记录媒体具有形成于基材之一表面上分别包括记录层之复数层、与形成于上述各层间之间隔层,其中上述记录层以光照射进行初期化,上述光记录媒体之制造装置包括:第一层形成装置,用以形成一层上述层,其中上述层对通过其上层之上述间隔层入射之初期化用雷射光束于初期状态下之光反射率为30%以下;第一初期化装置,用以对上述层照射上述初期化用雷射光束,以进行初期化;间隔层形成装置,用以于完成初期化之上述层上、形成上述间隔层;第二层形成装置,用以于上述间隔层上形成另一上述层;以及第二初期化装置,用以对另一上述层照射上述初期化用雷射光束,以进行初期化。15.一种光记录媒体之制造装置,上述光记录媒体具有形成于基材之一表面上分别包括记录层之复数层、与形成于上述各层间之间隔层,其中上述记录层以光照射进行初期化,上述光记录媒体之制造装置包括:第一层形成装置,用以形成一层上述层,其中上述层对通过其上层之上述间隔层入射之初期化用雷射光束于初期状态下之光反射率为30%以下;间隔层形成装置,用以于上述层上形成上述间隔层;第一初期化装置,用以对上述层照射通过上述间隔层之上述初期化用雷射光束,以进行初期化;第二层形成装置,用以于上述间隔层上形成另一上述层;以及第二初期化装置,用以对另一上述层照射上述初期化用雷射光束,以进行初期化。16.如申请专利范围第14或15项所述之光记录媒体之制造装置,其中上述第一层形成装置所形成之上述层对记录用雷射光束与读取用雷射光束之光反射率于20%以上。17.如申请专利范围第16项所述之光记录媒体之制造装置,其中上述记录用雷射光束与读取用雷射光束系使用未满500nm之波长的光;上述第一与第二初期化装置中所照射之上述初期化用雷射光束系使用500nm以上1000nm以下之波长的光。18.如申请专利范围第14或15项所述之光记录媒体之制造装置,其中上述第一与第二层形成装置系以相变化材料形成上述记录层。19.一种光记录媒体,包括:复数层,形成于基材之一表面上,分别包括以光照射进行初期化之记录层;以及间隔层,形成于上述各层间,其中上述复数层中除最上层外之其他层对通过其上层之上述间隔层入射之初期化用雷射光束,于初期状态下之光反射率于30%以下。20.如申请专利范围第19项所述之光记录媒体,其中上述复数层中除最上层外之其他层对通过其上层之上述间隔层入射之初期化用雷射光束,于初期状态下之光反射率于20%以上。21.如申请专利范围第20项所述之光记录媒体,其中上述记录用雷射光束与读取用雷射光束系使用未满500nm之波长的光;对上述复数层中除最上层外之其他层所照射之上述初期化用雷射光束系使用500nm以上1000nm以下之波长的光。22.如申请专利范围第19或20或21项所述之光记录媒体,其中上述记录层系以相变化材料所形成。图式简单说明:第1图绘示依据本发明实施例之光记录媒体1之结构剖面图。第2图绘示光记录媒体1之制造装置100之结构剖面图。第3图绘示依据本发明实施例之光记录媒体11之结构剖面图。第4图绘示光记录媒体11、21之制造装置200之结构剖面图。第5图绘示依据本发明实施例之多层(双层)记录层型之光记录媒体21之结构剖面图。第6图为进行具有L1层与L0层之光记录媒体21之初期化时对L0层之影响的说明图,其中被L1层所反射之雷射光束LRE会照射至L0层。第7图为改变光记录媒体21中之L1层的光反射率,对各光记录媒体1中之L0层的良否作模拟之模拟结果的说明图。第8图为对应第7图所示之模拟结果之模拟时所采用之条件的说明图。第9图为改变光记录媒体21中之L1层的厚度、对于初期化状态(结晶状态)时之L1层对初期化用雷射光束LIN(波长为810nm)之光反射率的特性作模拟,其模拟结果之说明图。第10图为改变光记录媒体21中之L1层的厚度、分别对于初期化状态(结晶状态)时与未初期化状态(非结晶状态)时之L1层对记录读取用雷射光束(波长为405nm)之光反射率的特性作模拟,其模拟结果之说明图。第11图绘示习知之光记录媒体51之结构剖面图。第12图绘示本发明人已开发完成之单层记录层型之光记录媒体61之结构剖面图。第13图绘示本发明人已开发完成之多层(双层)记录层型之光记录媒体71之结构剖面图。第14图为具有L1层与L0层之光记录媒体71进行初期化时、被L1层所反射之雷射光束LRE照射至L0层时对L0层所受之影响作说明的说明图。 |
