半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件

摘要

一种半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件，包括衬底区、导光区、限制区、电极区，其中：该限制区制作在衬底区上，该限制区包括，一n型掺杂磷化铟下限制层，一p型掺杂磷化铟上限制层，该p型掺杂磷化铟上限制层分为两层，一层制作在导光区之上，另一层制作在电极区之下，一p型未氧化的铟铝砷层和含铝氧化层，该p型未氧化的铟铝砷层和含铝氧化层相隔分为条状，制作在p型掺杂磷化铟上限制层之间，一光学介质膜制作在器件的两端；导光区制作在限制区之间；电极区制作在限制区之上和衬底区之下；该含铝氧化层，此含铝氧化层在半导体激光器部分对注入电流和光场进行限制，在楔形波导模斑转换器部分使其下面的导光区形成楔形波导。

主权项

1.一种半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件，包括衬底区、导光区、限制区、电极区，其特征在于，其中：该限制区制作在衬底区上，该限制区包括，一n型掺杂磷化铟下限制层，一p型掺杂磷化铟上限制层，该p型掺杂磷化铟上限制层分为两层，一层制作在导光区之上，另一层制作在电极区之下，一p型未氧化的铟铝砷层和含铝氧化层，该p型未氧化的铟铝砷层和含铝氧化层相隔分为条状，制作在p型掺杂磷化铟上限制层之间，一光学介质膜制作在器件的两端；导光区制作在限制区之间；电极区制作在限制区之上和衬底区之下；该含铝氧化层，此含铝氧化层在半导体激光器部分对注入电流和光场进行限制，在楔形波导模斑转换器部分使其下面的导光区形成楔形波导。