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Una unidad para la formación de nanoestructuras, o estructuras de escala nanométrica, sobre la superficie de una oblea semiconductora, que incorpora una cámara de vacío (1), equipada con sistemas de extracción o escape y de recocido, un dispositivo de introducción (2) de oblea semiconductora (3), una fuente de iones de potencia controlada (5), un separador de masas (6), un cañón de electrones (9), un detector de electrones (11), un soporte (12) para la oblea y un medidor (13) de la corriente de iones, de tal manera que la unidad está equipada con una columna de transporte (7) del haz de iones, un analizador de masas de cuadripolo (10), un microscopio óptico (8) y una computadora (15); de tal modo que los ejes de la columna de transporte del haz de iones, del microscopio óptico y del cañón de electrones se encuentran situados en el mismo plano normal o perpendicular a la oblea semiconductora en la posición de trabajo, y se cortan o intersecan en un punto situado sobre la superficie anterioro frontal de la oblea; de tal manera que la columna de transporte del haz electrónico, el microscopio óptico y el cañón de electrones se encuentran situados sobre la cara frontal de la oblea, y el ángulo formando entre sus ejes se minimiza; y de tal modo que la computadora efectúa un barrido con el haz de iones a través de un conjunto de lugares, mediante el desplazamiento de la oblea a lo largo de las coordenadas de los lugares dados, y presenta visualmente imágenes de la superficie de la oblea obtenidas con electrones secundarios y hace posible la combinación de los haces de iones y de electrones sobre la superficie de la oblea.
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