铜－氧化物大马士革结构的化学机械抛光

摘要

本发明提供了一种金属大马士革结构的化学机械抛光的方法，该金属大马士革结构包括：绝缘层，其具有位于晶片上的刻槽；以及金属层，其具有位于绝缘层的刻槽内的下部和覆盖所述下部和绝缘层的上部。该方法包括：第一步骤，其对金属层的上部进行平面化；以及第二步骤，其对绝缘层和金属层的下部进行抛光。在第一步骤中，在接触模式下，通过在晶片与抛光垫之间施加压力p并产生相对速度v而将晶片和抛光垫负荷在一起，以提高金属的去除速率。在第二步骤中，在稳态模式下，对绝缘层和金属层的下部进行抛光，以在刻槽中形成单独的金属线，且使金属线的凹陷和绝缘层的过抛最小。

主权项

1.一种金属大马士革结构的化学机械抛光的方法，该金属大马士革结构包括绝缘层，该绝缘层具有形成在晶片上的刻槽；以及金属层，其具有位于绝缘层刻槽内的下部和覆盖所述下部和所述绝缘层的上部，所述方法包括：第一步骤，在接触模式下，通过在晶片与抛光垫之间施加一压力并产生一相对速度而将所述晶片与所述抛光垫负荷在一起，以此对金属层的上部进行平面化；以及第二步骤，在稳态模式下，对绝缘层和金属层的下部进行抛光，以在刻槽中形成单独的金属线，且使金属线的凹陷和绝缘层的过抛最小。