| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für einen Grabenkondensator mit einem Isolationskragen (10; 10a, 10b) in einem Substrat (1), der über einen vergrabenen Kontakt (15a, 15b) einseitig mit dem Substrat (1) elektrisch verbunden ist, insbesondere für eine Halbleiterspeicherzelle mit einem in dem Substrat (1) vorgesehenen und über den vergrabenen Kontakt (15a, 15b) angeschlossenen planaren Auswahltransistor, mit den Schritten: Vorsehen von einem Graben (5) in dem Substrat (1) unter Verwendung einer Hartmaske (2, 3) mit einer entsprechenden Maskenöffnung; Vorsehen von einem Kondensatordielektrikum (30) im unteren und mittleren Grabenbereich, dem Isolationskragen (10) im mittleren und oberen Grabenbereich und einer elektrisch leitenden Füllung (20) zumindest bis zur Oberseite des Isolationskragens (10); vollständiges Auffüllen des Grabens (5) mit einem Füllmaterial (50; 50'; 50''; 20); Durchführen eines STI-Grabenherstellungsprozesses; Entfernen des Füllmaterials (50; 50'; 50''; 20) und Einsenken der elektrisch leitenden Füllung (20) bis unterhalb der Oberseite des Isolationskragens (10); Bilden eines einseitigen Isolationsbereichs (IS; IS1, IS2) zum Substrat (1) oberhalb des Isolationskragens (10); Freilegen eines anderseitigen Anschlussbereichs (10) und Bilden des vergrabenen Kontakts (15a, 15b) durch Abscheiden und Rückätzen einer C-Füllung (70; 70'; 70''; 70''').
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