半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种在隔离沟槽形成工艺中抑制出现废物的半导体器件的制造方法。方法包括形成距半导体衬底表面预定深度的隔离沟槽；在包括隔离沟槽的半导体衬底表面上形成介质层；用CVD层填充隔离沟槽；通过蚀刻除去除隔离沟槽中那部分之外的介质层；依次形成绝缘层和导电层；形成限定了图形的抗蚀剂，其借助导电层图形覆盖了与介质层接触的那部分绝缘层；以及在抗蚀剂上进行各向异性蚀刻由此除去暴露其表面的导电层的一部分。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底内的隔离沟槽；沿所述隔离槽的内壁形成以构成衬里的第一层；形成为接触所述第一层的内表面以填充所述隔离沟槽的第二层；以及选择性地形成在所述隔离沟槽上以覆盖所述第一层和所述第二层的导电层。