| 摘要 |
所揭示为用于藉由金属化而填充诸如半导体晶圆之微电子工件的凹陷微结构的电镀组成物及方法。该电镀组成物可包含有铜与硫酸的混合物，其中铜浓度对硫酸浓度的比例等于约0.3至约0.8g／L(公克每公升溶液)。所揭示的该电镀组成物亦可包含有铜与硫酸的混合物，其中当硫酸浓度为约65至约150g／L时，铜浓度系接近其溶解度极限。该电镀组成物亦可含有用的添加物，诸如加速剂、抑制剂、卤化物和／或均化剂。所揭示为用于电化学沉积导电材料于形成在半导体工件上之形体(诸如沟渠和／或接点孔)中的方法，包含使用所揭示的电镀溶液而适用于复数个阳极反应器中的方法。 |
