发明名称 一种有机发光显示器之吸湿性保护结构
摘要 本发明系提供一种有机发光显示器之吸湿性保护结构。该吸湿性保护结构包含有至少一缓冲层,一吸湿材料层,以及一保护层,且该吸湿性保护结构覆盖系于该有机发光显示器之一显示区域上,用来吸附该有机发光显示器内部与穿透保护层的水气。
申请公布号 TWI232693 申请公布日期 2005.05.11
申请号 TW091124830 申请日期 2002.10.24
申请人 统宝光电股份有限公司 发明人 陈光荣;杨恒隆
分类号 H05B33/00 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种有机发光显示器(organic electroluminescent display)之吸湿性保护结构,该吸湿性保护结构系覆盖于该有机发光显示器之一显示区域上,该吸湿性保护结构包含有:一第一缓冲层(buffer layer),设于该显示区域之上;一吸湿材料层,设于该显示区域之上;以及一保护层,设于该显示区域之上。2.如申请专利范围第1项之吸湿性保护结构,其中该有机发光显示器系制作于一基板上。3.如申请专利范围第2项之吸湿性保护结构,其中该基板系包含有一玻璃基板、一塑胶基板或一金属基板。4.如申请专利范围第1项之吸湿性保护结构,其中该有机发光显示器系包含有复数个被动矩阵式(passive matrix)显示单元或复数个主动矩阵式(activematrix)显示单元。5.如申请专利范围第4项之吸湿性保护结构,其中各该被动矩阵式显示单元与各该主动式显示单元系皆另包含有一导电层、一有机薄膜与一金属层依序设于该基板之上。6.如申请专利范围第5项之吸湿性保护结构,其中该有机薄膜另包含有一电洞传输层(hole transport layer,HTL)位于该导电层表面,一发光层(emitting layer, EML)位于该电洞传输层表面,以及一电子传输层(electrontransport layer, ETL)位于该发光层表面。7.如申请专利范围第4项之吸湿性保护结构,其中各该主动矩阵式显示单元之下方另包含有一薄膜电晶体(thin film transistor, TFT)电连接于各该主动矩阵式显示单元。8.如申请专利范围第7项之吸湿性保护结构,其中该有机发光显示器系为一上发光(top emission)型式之有机发光显示器,且该吸湿材料层系仅设于各该薄膜电晶体上方之该显示区域之上。9.如申请专利范围第1项之吸湿性保护结构,其中该缓冲层系包含有聚对二甲苯类高分子材料(parylene)或类钻碳材料(diamond-like carbon, DLC),且其厚度约介于1埃至100微米之间。10.如申请专利范围第1项之吸湿性保护结构,其中该吸湿材料层系包含有氧化钙、氧化钡或氧化镁,且其厚度约介于1埃至100微米之间。11.如申请专利范围第1项之吸湿性保护结构,其中该保护层系包含有高分子材料、陶瓷材料或金属材料。12.如申请专利范围第1项之吸湿性保护结构,其中该第一缓冲层系设于该吸湿材料层之下方,且该保护层系设于该吸湿材料层之上方。13.如申请专利范围第12项之吸湿性保护结构另包含有一第二缓冲层设于该吸湿材料层与该保护层之间。14.如申请专利范围第12项之吸湿性保护结构,其中该吸湿材料层系用来吸附该有机发光显示器之内部所产生的水气,而该第一缓冲层系用来避免因该吸湿材料层与该水气所产生的化学反应而影响该有机发光显示器之正常运作。15.如申请专利范围第1项之吸湿性保护结构,其中该第一缓冲层系设于该吸湿材料层之上方,且该保护层系设于该第一缓冲层之上方。16.如申请专利范围第1项之吸湿性保护结构,其中该有机发光显示器另包含有一周边区域。图式简单说明:图一为习知有机发光显示器之剖面示意图。图二为习知另一种有机发光显示器之剖面示意图。图三为本发明之有机发光显示器的吸湿性保护结构之剖面示意图。图四为本发明之被动式有机发光显示器之剖面示意图。图五为本发明之被动式有机发光显示器之剖面示意图。图六为本发明之主动式有机发光显示器之剖面示意图。图七为本发明之主动式有机发光显示器之剖面示意图。图八为本发明之上板发光型式有机发光显示器之剖面示意图。图九为本发明之另一主动式有机发光显示器之剖面示意图。图十为本发明之另一主动式有机发光显示器之剖面示意图。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科中路12号