| 主权项 |
1.一种更动记忆体材料之电阻以储存资讯于该记忆体材料之方法,其中该记忆体材料至少具有一组第一电阻范围以及一组第二电阻范围,并且其中该第一电阻范围较小于该第二电阻范围,该方法包含:在储存资讯时仅将该记忆体材料之电阻设定成该第一电阻范围中之一电阻位准以限制该记忆体材料之储存于该第一电阻范围。2.如申请专利范围第1项之方法,其中设定该记忆体材料电阻之步骤包含,施加第一信号至该记忆体材料,接着施加第二信号至该记忆体材料,其中该第二信号具有之持续期间较小于该第一信号之持续期间。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一信号之振幅是较小于该第二信号之振幅。4.如申请专利范围第2项之方法,其进一步地包含选择该第一信号之振幅及持续期间以将该记忆体材料之电阻设定于该第一电阻范围之较低部份。5.如申请专利范围第2项之方法,其进一步地包含在施加该第二信号之后决定该记忆体材料之电阻。6.如申请专利范围第2项之方法,其进一步地包含,如果该记忆体材料之电阻较小于一预定电阻位准,则施加一组第三信号至该记忆体材料,其中该第三信号具有之振幅是较大于第二信号之振幅并且具有之持续期间是较小于该第一信号之持续期间。7.如申请专利范围第2项之方法,其进一步地包含,如果该记忆体材料之电阻大于一预定电阻位准,则施加该第三信号至该记忆体材料,其中该第三信号具有之振幅是较小于该第二信号之振幅并且具有之持续期间是较小于该第一信号之持续期间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中设定该记忆体材料电阻之步骤包含施加三组具有不同振幅及不同持续期间之信号至该记忆体材料。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该记忆体材料是一种相变材料。10.一种更动记忆体材料的电阻以储存资讯于该记忆体材料之方法,其中该记忆体材料至少具有第一电阻范围以及第二电阻范围,并且其中该第一电阻范围是较小于该第二电阻范围,该方法包含:在储存资讯时仅将该记忆体材料之电阻设定于该第二电阻范围中之一电阻位准以限制该记忆体材料之储存于该第二电阻范围。11.如申请专利范围第10项之方法,其中设定该记忆体材料电阻之步骤包含施加第一信号至该记忆体材料,接着施加第二信号至该记忆体材料,其中该第二信号具有之持续期间是较小于该第一信号之持续期间。12.如申请专利范围第11项之方法,其进一步地包含选择该第一信号之振幅及持续期间以将该记忆体材料之电阻设定于该第二电阻范围之较低部份。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该记忆体材料是一种相变材料。14.一种规划记忆体材料之方法,其包含:施加三组具有不同持续期间及不同振幅之信号至一记忆体材料,以将该记忆体材料规划成一预定状态。15.如申请专利范围第14项之方法,其中施加三组信号之步骤包含施加一组第一信号、一组第二信号、以及一组第三信号至该记忆体材料,并且其中该第一信号之持续期间是大于该第二信号之持续期间,而该第二信号之持续期间是大于该第三信号之持续期间。16.如申请专利范围第15项之方法,其中在该第一信号被施加至该记忆体材料之后该第二信号被施加至该记忆体材料,并且其中在该第二信号被施加至该记忆体材料之后该第三信号被施加至该记忆体材料。17.如申请专利范围第15项之方法,其进一步地包含施加该第一信号、该第二信号、以及一组第四信号至该记忆体材料,以将该记忆体材料规划成一第二预定状态,其中该第四信号之振幅是大于该第三信号之振幅。18.如申请专利范围第17项之方法,其进一步地包含施加该第一信号、该第二信号、以及一组第五信号至该记忆体材料,以将该记忆体材料规划成一第三预定状态,其中该第五信号之振幅是大于该第三信号之振幅。19.如申请专利范围第15项之方法,其中该第一信号是大致地为一组非矩形脉波而该第二与该第三信号是大致地为矩形脉波。20.如申请专利范围第14项之方法,其中该记忆体材料是一种相变材料。21.如申请专利范围第14项之方法,其中施加三组信号之步骤包含施加一组第一信号、一组第二信号、以及一组第三信号,并且进一步地包含在该三组信号被施加至该记忆体材料之后决定该记忆体材料是否在预定状态中。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该决定包含,比较该记忆体材料之电阻与一参考电阻。23.如申请专利范围第22项之方法,其进一步地包含:如果该记忆体材料之电阻大于该参考电阻,则施加第四信号至该记忆体材料,而其中该第四信号之振幅不同于该第三信号之振幅。24.如申请专利范围第14项之方法,其中将该记忆体材料规划成一预定状态之步骤包含更动该记忆体材料之电阻,其中该记忆体材料至少具有两组电阻范围,并且其进一步地包含限制该记忆体材料之规划于两组电阻范围之一组较低的电阻范围。25.如申请专利范围第24项之方法,其进一步地包含选择三组信号之振幅及持续期间以便限制该相变材料之规划于该较低电阻范围。26.一种规划记忆体材料之系统,其包含:一组控制器;一组耦合至该控制器之无线收发器;一组包含一种相变材料之记忆体,其中该记忆体被耦合至该控制器;以及一组施加元件,其适用于施加三组具有不同持续期间及不同振幅之信号至该相变材料以将该相变材料规划于一预定状态。27.如申请专利范围第26项之系统,其进一步地包含一组耦合至该记忆体之读取装置以量测该相变材料之电阻。图式简单说明:第1图是展示依据所申请主题事件之实施例的计算系统之方块图;第2图是展示依据所申请主题事件之实施例的记忆体装置的分解图;第3图展示依据所申请主题事件之实施例的多数个规划信号;第4图展示依据所申请主题事件之另一实施例的其他多数个规划信号;第5图展示依据所申请主题事件之另一实施例的记忆胞之规划特性;以及第6图展示依据所申请主题事件之实施例的读取电路。 |
