| 发明名称 | 用以避免条纹现象的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置的蚀刻方法。本发明方法包含步骤有：提供一基底；于基底上形成若干工作层；于工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置；蚀刻移除工作层未被光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口；于开口侧壁形成一间隔层；以及蚀刻基底对应开口之部分，以形成一浅沟槽。通过本发明之蚀刻方法，可避免一般掩模蚀刻所造成的条纹(striation)现象。 | ||
| 申请公布号 | CN1614750A | 申请公布日期 | 2005.05.11 |
| 申请号 | CN200310114867.1 | 申请日期 | 2003.11.07 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 李秀春;黄则尧;陈逸男 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的蚀刻方法，包含以下步骤：提供一基底；于该基底上形成若干工作层；于该工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置；蚀刻移除所述工作层未被该光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口；于该开口侧壁形成一间隔层；以及蚀刻基底对应该开口之部分。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||