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发明名称 METHOD OF FORMING POLY-SILICON FILM, THIN FILM TRANSISTOR COMPRISING POLY-SILICON FILM FORMED USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20050042702(A) 申请公布日期 2005.05.10
申请号 KR20030077763 申请日期 2003.11.04
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 TAKASHI, NOGUCHI;CHO, SEO YOUNG;KIM, DO YOUNG;KWON, JANG YEON;PARK, KYUNG BAE
分类号 H01L21/20;H01L21/00;H01L21/336;H01L27/01;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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