| 发明名称 | 半导体装置与其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，包括：一基底、一第一外延层、一第二外延层、一第三外延层、一第一沟槽与一第二沟槽。该第一外延层位于该基底上且与该基底晶格不相称。该第二外延层位于该第一外延层上且与该第一外延层晶格不相称。该第三外延层位于该第二外延层上且与该第二外延层晶格不相称，因此，该第三层可为应变硅。该第一沟槽延伸过该第一外延层。该第二沟槽延伸过该第三外延层且至少部分延伸过该第二外延层，至少部分该第二沟槽与至少部分该第一沟槽对准，以及该第二沟槽至少部分填入一绝缘材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1612357A | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN200410086843.4 | 申请日期 | 2004.10.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 葛崇祜;李文钦;胡正明 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/762 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：一基底；一第一外延层位于上述基底上，该第一外延层相对于上述基底晶格不相称；一第二外延层位于上述第一外延层上，该第二外延层相对于上述第一外延层晶格不相称；一第三外延层位于上述第二外延层上，该第三外延层相对于上述第二外延层晶格不相称；一第一沟槽延伸过上述第一外延层；以及一第二沟槽延伸过上述第三外延层且至少部分延伸过上述第二外延层，至少部分该第二沟槽与至少部分上述第一沟槽对准，以及该第二沟槽至少部分填入一绝缘材料。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||