发明名称 |
高介电常数Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法 |
摘要 |
一种高介电常数Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法,属于陶瓷材料制备领域。其特征在于,它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源,原位或扫描辐照Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷坯体,以190~350w/cm<SUP>2</SUP>的低功率密度在30~185s时间内对Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷坯体进行激光辐照预热,激光扫描速率为0~33mm/s;预热结束后,调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850~1405w/cm<SUP>2</SUP>,进行烧结,激光扫描速率为0~50mm/s;经过25~95s的烧结后,激光关光,样品冷却成瓷。本发明制备的Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷介电常数显著提高,介电损耗小,制备时间短,过程易于控制,工艺重复性高,可实现无污染烧结,制备样品的纯度高。 |
申请公布号 |
CN1199910C |
申请公布日期 |
2005.05.04 |
申请号 |
CN03148245.7 |
申请日期 |
2003.07.04 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
蒋毅坚;季凌飞 |
分类号 |
C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/46;H01B3/12 |
主分类号 |
C04B35/495 |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
1、一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:(1)、采用大功率激光作为直接辐照源,原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体,以190~350w/cm2的低功率密度在30~185s时间内对Ta2O5基陶瓷坯体进行激光辐照预热,激光扫描速率为0~33mm/s;(2)、预热结束后,调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850~1405w/cm2,进行烧结,激光扫描速率为0~50mm/s;(3)、经过25~95s的烧结后,激光关光,样品冷却成瓷。 |
地址 |
100022北京市朝阳区平乐园100号 |