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发明名称 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVCIE HAVING TUNGSTEN POLY METAL GATE-ELECTRODE
摘要
申请公布号 KR20050040579(A) 申请公布日期 2005.05.03
申请号 KR20030076027 申请日期 2003.10.29
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 CHO, HEUNG JAE;JANG, SE AUG;KIM, YONG SOO;LEE, JUNG HO;LIM, KWAN YONG;OH, JAE GEUN;YANG, HONG SEON
分类号 H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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