具记忆性液晶显示器之驱动方法

摘要

本发明揭示一种具记忆性液晶显示器之驱动方法，为应用于一液晶驱动晶片，其系连接至一具记忆性之液晶显示幕，主要方法包括提供一单极性高电压脉冲至具记忆性之液晶显示幕，以使具记忆性之液晶显示幕内之液晶分子成一均向结构，再迅速降压，以使其液晶分子成一平面结构，在极短时间内完成一液晶萤幕全面性清除作业；接着在资料写入过程，提供另一反向单极性较低电压脉冲使液晶显示幕内之液晶分子成焦锥型结构或一较高电压脉冲使液晶分子经均相结构回到平面排列结构，便完成一写入作业；此外，利用液晶驱动晶片上DISPOFF输入端之功能，可使其清除作业以并列方式进行，如此，即可达成有效节省清除作业时间，并提升写入作业效率之目的。

主权项

1.一种具记忆性液晶显示器之驱动方法,应用于一液晶驱动晶片,该液晶驱动晶片连接至一具记忆性之液晶显示幕,该方法包括有:提供一高电压脉冲至该具记忆性之液晶显示幕,以使该具记忆性之液晶显示幕内之液晶分子成一均相结构(Homotropic texture);迅速降压,以使该具记忆性之液晶显示幕内之该液晶分子成一平面结构(Planar texture),完成一清除作业;及提供一反相极性的低电压脉冲至该具记忆性之液晶显示幕以使该具记忆性之液晶显示幕内之该液晶分子由该平面结构转变成一焦锥型结构(FocalConic texture),完成一写入作业。2.如申请专利范围第1项所述之驱动方法,其中该液晶驱动晶片包含有一DISPOFF控制输入端,为可用以强制将该液晶驱动晶片之所有输出端讯号输出为一低准位,以控制该液晶驱动晶片之该清除作业是否执行。3.如申请专利范围第1项所述之驱动方法,其中该具记忆性之液晶显示幕系可选择为一胆固醇型(SSCT)液晶显示幕、双稳态扭转向列型(BTN)液晶显示幕及快速多稳态液晶显示幕之其中之一者。4.如申请专利范围第1项所述之驱动方法,其中该高电压脉冲系高于该液晶显示幕之液晶分子完全转变为该均相结构(Homotropic texture)之一起始点电压者。5.如申请专利范围第1项所述之驱动方法,其中该低电压系高于该液晶分子成为该平面结构(Planartexture)与该焦锥型结构(Focal Conic texture)之临界状态之一临界电压者。6.一种具记忆性液晶显示器之驱动方法,应用于一液晶驱动晶片,该液晶驱动晶片连接至一具记忆性之液晶显示幕,该方法包括有:提供一第一高电压脉冲至该具记忆性之液晶显示幕,以使该具记忆性之液晶显示幕内之液晶分子成一均相结构(Homotropic texture);于该第一高电压脉冲结束后迅速降压,以使该液晶显示幕内之该液晶分子转变成一平面结构(Planartexture),完成一清除作业;提供一反向极性之第二高电压脉冲至该液晶显示幕,以使该液晶显示幕内之该液晶分子转变成一均相结构(Homotropic texture);及于该第二高电压脉冲结束后迅速降压,以使该液晶显示幕内之该液晶分子转变为回该平面结构(Planartexture),完成一写入作业。7.如申请专利范围第6项所述之驱动方法,其中该液晶驱动晶片包含有一DISPOFF控制输入端,为可用以强制将该液晶驱动晶片之所有输出端讯号输出为一低准位,以控制该液晶驱动晶片之该清除作业是否执行。8.如申请专利范围第6项所述之驱动方法,其中资料该第一高电压脉冲及该第二高电压脉冲系以一单极性脉冲完成。9.如申请专利范围第6项所述之驱动方法,其中该液晶显示幕系可选择为一胆固醇式液晶显示幕、双稳态扭转向列型液晶显示幕、及快速多稳态液晶显示幕之其中之一者。10.如申请专利范围第6项所述之驱动方法,其中该第一高电压脉冲系高于该液晶显示幕之该液晶分子完全转变为该均相结构之临界电压者。11.如申请专利范围第6项所述之驱动方法,其中该第一高电压脉冲系与该第二高电压脉冲相等。12.一种具记忆性液晶显示器之驱动方法,应用于一液晶驱动晶片,该液晶驱动晶片连接至一具记忆性之液晶显示幕,其中该液晶驱动晶片包含有一控制输入端,该方法其主要系利用该液晶驱动晶片之该控制输入端输入一控制讯号,以使该液晶驱动晶片之所有输出端并列输出为一低准位,强制将该液晶显示幕内之液晶分子由一均相结构转变成一平面结构排列,完成一清除作业。13.如申请专利范围第12项所述之驱动方法,尚可包括有一步骤:提供一较低电压脉冲至该液晶显示幕,以使该液晶显示幕内之该液晶分子由该平面结构转变为一焦锥型结构,完成一写入作业。14.如申请专利范围第12项所述之驱动方法,尚可包括有下列步骤:提供一高电压脉冲至该液晶显示幕,以使该液晶显示幕内之该液晶分子转变成一均相结构(Homotropictexture);及于该高电压脉冲结束后迅速降压,以使该液晶显示幕内之该液晶分子转变为回该平面结构(Planartexture),完成一写入作业。15.如申请专利范围第12项所述之驱动方法,其中该具记忆性之液晶显示幕系可选择为一胆固醇式液晶显示幕、双稳态扭转向列型液晶显示幕、及快速多稳态液晶显示幕之其中之一者。16.如申请专利范围第14项所述之驱动方法,其中该高电压系高于该液晶显示幕之该液晶分子完全转变为该均相结构之临界电压者。17.如申请专利范围第13项所述之驱动方法,其中该低电压系高于该液晶分子由该平面结构完全转变为该焦锥型结构之一临界电压,且低于该液晶分子开始转变成该均相结构之起始电压者。图式简单说明:第1A图:为习用驱动FMLCD液晶单元施加交流电场之示意图;第1B图:为习用液晶状态之反射率与电压关系示意图;第1C图:为习用液晶状态相关外加电压与时间关系示意图;第2图:为本发明一较佳实施例液晶状态之反射率与电压关系示意图;第3图:为本发明一较佳实施例之清除作业时序示意图;及第4图:为本发明一较佳实施例之资料写入作业时序示意图。