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发明名称 Verfahren zum Herstellen einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper
摘要
申请公布号 CH435219(A) 申请公布日期 1967.05.15
申请号 CH19650007211 申请日期 1965.05.24
申请人 SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 DR. PATALONG,HUBERT,DIPL.-PHYS.
分类号 C04B41/87;C30B31/02;H01L21/00;H01L21/22;H01L21/223;H01L21/225;H01L21/24;(IPC1-7):B01J17/34 主分类号 C04B41/87
代理机构 代理人
主权项
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