| 发明名称 | 用于抛光半导体层的组合物 | ||
| 摘要 | 包含用于限制互连金属去除的腐蚀抑制剂且具有酸性pH的水性抛光组合物。该组合物包含与构成的包含有机物的铵盐，R<SUB>1</SUB>，R<SUB>2</SUB>，R<SUB>3</SUB>和R<SUB>4</SUB>是原子团，R<SUB>1</SUB>具有2至15个碳原子的碳链长度。该包含有机物的铵盐具有一定浓度，该浓度可加速TEOS的去除而减少至少一种选自SiC，SiCN，Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>和SiCO的覆层的去除。 | ||
| 申请公布号 | CN1609156A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410055841.9 | 申请日期 | 2004.08.04 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | 刘振东;J·曲安慈 |
| 分类号 | C09G1/04 | 主分类号 | C09G1/04 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.水性抛光组合物，包含：用于限制互连金属的去除的腐蚀抑制剂；具有酸性pH；且包含与<img file="A2004100558410002C1.GIF" wi="401" he="395" />构成的包含有机物的铵盐，R<sub>1</sub>，R<sub>2</sub>，R<sub>3</sub>和R<sub>4</sub>是原子团，R<sub>1</sub>具有2至15个碳原子的碳链长度且该包含有机物的铵盐具有一定浓度，在使用至少一种小于21.7kPa的抛光压力的情况下，该浓度能加速TEOS的去除并减少至少一种选自SiC，SiCN，Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>和SiCO的覆层的去除。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||