| 发明名称 | 蚀刻期间保持STI的结构和方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种保护半导体浅沟槽隔离(STI)氧化物不被蚀刻的方法，该方法包括：如果需要将所述STI氧化物的上表面降低到低于相邻硅有源区以下的水平面，以有效地在所述STI氧化物上限定出凹陷处的方式，在所述STI氧化物和相邻的硅有源区上沉积氮化物衬里，用保护膜填充所述凹陷处，以及从所述相邻的有源区上除去所述氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1610967A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN02810275.4 | 申请日期 | 2002.05.23 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | O·H·多库马奇;B·B·多里斯 |
| 分类号 | H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种保护半导体浅沟槽隔离(STI)氧化物不被蚀刻的方法，包括：如果需要将所述STI氧化物的上表面降低到低于相邻硅有源区以下的水平面；以有效地在所述STI氧化物上限定出凹陷处的方式，在所述STI氧化物和相邻的硅有源区上沉积氮化物衬里；用保护膜填充所述凹陷处；以及从所述相邻的有源区上除去所述氮化物层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||