外围晶体管的金属化触点形成方法

摘要

一种方法和设备，它们针对在半导体器件的外围逻辑电路区域内形成金属插栓(75，76，95，96)以便接触在该外围逻辑电路区域内晶体管的N₊和P₊掺杂区域(25，26)两者。该金属插栓在用于晶片制造的全部高温处理完成之后形成。而且该金属插栓在没有金属扩散到该基片活性区域内的情况下形成。在从该半导体器件的顶视图观察时该金属插栓形成椭圆形小片。

主权项

1.一种存储装置形成方法，所述方法包括：形成用于存储单元的至少一个电容器结构的一部分，所述存储单元位于所述存储装置的存储器阵列区域内；热处理所述电容器结构；以及在热处理所述电容器结构之后形成直到所述基片活性区域的金属插栓，其中直到所述活性区域形成的所述金属插栓的至少一个部分用于半导体基片的N沟道和P沟道外围逻辑晶体管两者，所述半导体基片位于含有所述存储单元的所述存储器阵列区域外侧。